天岳先进宗艳民：未来已来 布局碳化硅“新战场”

“碳化硅功率半导体的器件性能非常优越，特别是大功率高压800伏以上，性能卓越是无可争议的。过去，由于材料可控性差，在二三十年之前整个供应端都是供不应求，难以支撑下游的需要，2022年之后，由于天岳先进的发展带动了整个行业的发展，解决了这几十年的供应问题。”9月10日，在由《中国经营报》主办的科创板迈向“新高地”暨“硬科硬客”2025年会圆桌论坛环节中，谈及技术突破，天岳先进董事长宗艳民如是表示。

宗艳民强调：“没有科创板，就没有临港工厂，天岳先进也难以在行业竞争中获得规模化优势。”宗艳民多次强调科创板的关键作用。但他同时指出，硬科技无法速成。“真正的护城河要靠长期研发积累。如我们的液相法技术，从2013年立项到真正全球领先，用了整整十年。”在他看来，很多核心技术需从基础研究做起，“如果只解决眼前生产问题，很难形成硬核科技竞争力”，科创板上市后，公司加大了研发投入，布局了很多行业前沿技术，有的进入了无人区，需要开展大量的基础研究，需要时间，需要资金。在这些前沿技术结题后，天岳先进将形成更多的核心技术，形成更强的护城河。

针对主持人提出的“百镜大战”（AI眼镜竞争）材料需求，宗艳民解释道，碳化硅因折射率高达2.6，是光波导镜片的理想材料。但过去受制于衬底尺寸和缺陷，一片8英寸衬底仅能制造3—5副眼镜，导致其只能用于极高端领域。而天岳先进2024年11月发布的12英寸衬底改变了局面，“一片可做10—12副镜片，使碳化硅光学应用从高端走向民用”，这为包括Meta在内的全球产业龙头打开了一个重大的通道。

他透露，公司正与全球光学头部客户紧密推进产品导入，“碳化硅光学眼镜很快将走向市场，未来碳化硅光波导眼镜的市场规模可达数亿副”。

关于英伟达拟在2027年Rubin GPU中采用碳化硅做先进封装散热层这一话题，宗艳民也发表看法：“在2纳米的大算力芯片中，发热问题会非常大，散热处理非常重要且急迫。之前尝试用玻璃介质做热处理，玻璃的导热性能还是达不到要求。另外，日本的科学家尝试采用塑料做介质，导热也达不到。”

宗艳民进一步分析，经过一系列试验，目前基本确定只有靠碳化硅衬底。“虽对缺陷密度相对于半导体器件要求较低，但对衬底面型平整度要求极高，从性价比角度来看碳化硅衬底尺寸至少用12英寸以上的。”这将为碳化硅应用又带来一个重大机遇。

此外，8月天岳先进成功登陆H股，进一步助力天岳先进开拓国际市场、整合全球资源。