存储芯片涨价潮愈演愈烈。
据最新消息，存储芯片巨头SK海力士表示，受人工智能（AI）客户强劲需求和供应增长有限的推动，预计存储芯片价格将在全年持续上涨。该公司还透露，今年没有任何一家客户能完全满足需求。
受涨价的利好刺激，存储芯片概念股周五全线大涨，美股闪迪大涨超4%，美光科技涨超2%；SK海力士大涨超6%，创出历史新高。此前有消息称，三星电子正就其最新一代AI存储芯片进行定价谈判，价格较上一代产品最高上浮30%。
芯片巨头：价格将持续上涨
在最新召开的虚拟投资者会议上，SK海力士释放强烈信号：存储芯片行业已全面进入卖方市场。
SK海力士对今年的价格走势给出了非常明确的指引：受AI客户强劲需求和供应增长有限的推动，预计存储芯片价格将在全年持续上涨。
目前的供需紧张程度已经达到了近年来的高点，SK海力士向高盛透露：“今年没有任何一家客户能够完全满足其存储需求。”
关于供给端，SK海力士指出，全行业受限于洁净室（Clean room）空间的不足，供应增长受到物理限制。客户非常清楚，短期内存储产能无法显著增加。因此他们意识到，重复下单并不会带来更多的分配量，反而只会进一步推高价格。
从库存角度看，服务器客户的库存已达到健康水平，而PC和移动客户的库存正呈现下降趋势。
更为关键的是作为供应端的SK海力士，其自身库存已极其单薄。
该公司称：“我们在DRAM和NAND上的库存均处于正常水平，约为4周，并预计这一水平在全年将继续下降。”
另外，对于市场高度关注的HBM（高带宽内存），SK海力士明确表示，2026年的产能分配已成定局。2026年的HBM已全部售罄，满足客户需求的生产计划已经分配完毕。
SK海力士坦言，鉴于目前的生产计划，很难在2026年对HBM和标准型DRAM的产线进行有意义的调整。
由于标准型DRAM目前的供需极度紧张（Tight S/D），这为SK海力士在谈判桌上赢得了更多筹码，定价权更为稳固。
在此背景下，SK海力士透露，“正在与主要客户讨论多年期的长期合约”。
该公司认为，这种紧张局势“可能会为2027年的HBM业务带来更优惠的条款”。
另外，SK海力士在资本开支（Capex）上仍保持清醒。
公司确认今年的资本开支将超过去年，但强调将“继续坚持资本开支纪律”。投资的优先级非常清晰：核心聚焦于HBM和标准型DRAM。对于NAND业务，虽然恢复了部分投资（主要是向321层3D NAND迁移），但其在总资本开支中的占比将保持稳定（预计维持在低双位数百分比），不会盲目扩张。
存储芯片概念股全线大涨
美东时间2月20日，美股存储概念股全线大涨，闪迪大涨4.65%，美光科技涨超2%。当日亚洲交易时段，SK海力士大涨6.15%，股价再度创出历史新高；三星电子亦创出收盘历史新高。港股存储芯片概念股亦小幅走强，其中澜起科技一度大涨超8%，兆易创新一度涨近4%。
当天有报道称，存储芯片巨头三星电子正就其最新一代AI存储芯片的定价进行谈判，价格将较上一代高出至多30%。
盛宝银行首席投资策略师查鲁·查纳纳表示，有关三星 HBM4 的报道再次凸显了该行业的“定价权”，“这表明 AI 存储芯片市场供应依然紧张，同时三星认为自己在高端市场重新夺回了部分定价话语权”。
市场研究公司TrendForce预测，仅2026年第一季度，DRAM、NAND闪存的价格预计就将分别上涨90%至95%、55%至60%。
谷歌DeepMind首席执行官Demis Hassabis日前在接受采访时谈到了眼下席卷全球的“内存荒”。他表示，内存芯片“整个供应链”都受限，硬件层面的挑战“正限制着大量（AI）部署”。
英特尔CEO陈立武近日也警告称，AI 发展的瓶颈已从“算力”转移至“内存”及更广泛的基础设施系统。他直言，内存短缺问题在2028年之前都不会缓解。
Bernstein半导体行业分析师Mark Li警告称，内存价格正在呈现“抛物线式”上涨。虽然这将为三星电子、美光科技和SK海力士带来丰厚利润，但电子行业的其他领域将在未来数月付出沉重代价。
Counterpoint Research表示，内存成本上涨可能导致低端设备在经济上对电子公司而言难以为继。随着利润率的下降，一些低价智能手机可能会彻底退出市场。
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